[发明专利]沟槽结势垒可控肖特基二极管有效
| 申请号： | 200780034677.5 | 申请日： | 2007-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN101523583A | 公开（公告）日： | 2009-09-02 |
| 发明（设计）人： | 雷燮光;安荷·叭剌 | 申请（专利权）人： | 万国半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/338 | 分类号： | H01L21/338 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 | 代理人： | 张静洁;王敏杰 |
| 地址： | 英属百慕*** | 国省代码： | 百慕大群岛;BM |
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| 摘要： | 本发明提供一种肖特基二极管，其包含至少一个开设在具有第一电传导型掺杂物的半导体衬底上的沟槽，其中，该沟槽由肖特基结势垒金属填充。该肖特基二极管还包含一个或多个具有第二电传导型的掺杂区，该掺杂区包围沟槽侧壁，并沿着该沟槽的深度分布，用以屏蔽反向漏电流穿过该沟槽的侧壁。该肖特基二极管还包含一包围沟槽底部表面的具有第二电传导型的底部掺杂区，以及一包围沟槽侧壁顶端部分的具有第二电传导型的顶部掺杂区。在一较佳实施例中，该第一电传导型是N-型电传导型，且中间深度掺杂区包含有一P-掺杂区。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 结势垒 可控 肖特基 二极管 | ||
【主权项】：
1. 一种肖特基二极管，其特征在于，包含：至少一沟槽，其开设在由第一电传导型掺杂物掺杂的半导体衬底上，所述的沟槽侧壁上填满肖特基势垒金属；一具有第二电传导型的顶部掺杂区，其包围该沟槽侧壁的顶端部分；和一具有第二电传导型的底部掺杂区，其包围该沟槽的至少一个底部角落区域。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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