[发明专利]场效应异质结构晶体管无效
| 申请号： | 200780035547.3 | 申请日： | 2007-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN101517742A | 公开（公告）日： | 2009-08-26 |
| 发明（设计）人： | R·L·维勒特 | 申请（专利权）人： | 卢森特技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/778;H01L21/335;H01L21/225 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 李 娜;李家麟 |
| 地址： | 美国新*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种设备包括场效应晶体管(FET)。该FET包括第一半导体的区域和位于第一半导体的区域上的第二半导体的层。该层和区域形成半导体异质结构。该FET还包括位于该区域和层其中之一上的源电极和漏电极，以及置为控制该半导体异质结构的沟道部的电导率的栅电极。该沟道部位于该源电极和漏电极之间。该栅电极置为垂直地位于该沟道部以及该源电极和漏电极的部分的上方。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 结构 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种设备，包括：场效应晶体管，包括：第一半导体的区域；位于第一半导体的区域上的第二半导体的层，该层和区域形成半导体异质结构；位于该区域和该层其中之一上的源电极和漏电极；以及置为控制该半导体异质结构的沟道部的电导率的栅电极，该沟道部位于该源电极和漏电极之间，该栅电极置为垂直地位于该沟道部的上方以及置为位于该源电极和漏电极的部分的上方。
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