[发明专利]辐射系统和包括辐射系统的光刻设备有效
申请号: | 200780035599.0 | 申请日: | 2007-09-25 |
公开(公告)号: | CN101583909A | 公开(公告)日: | 2009-11-18 |
发明(设计)人: | M·M·J·W·范赫彭;V·Y·拜尼恩;J·C·L·弗兰肯;O·W·V·弗吉恩斯;D·J·W·克朗德尔;N·M·德里森;W·A·索尔 | 申请(专利权)人: | ASML荷兰有限公司;皇家飞利浦电子股份有限公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 王新华 |
地址: | 荷兰维*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
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摘要: | 本发明公开一种用在极紫外光刻系统中的光学传感器装置(1)。该装置包括光学传感器,该传感器包括传感器表面(3)和构造用于从传感器表面去除碎片(6)的去除机构(5)。因而,可以对光刻系统方便地实施剂量和/或污染物测量。 | ||
搜索关键词: | 辐射 系统 包括 光刻 设备 | ||
【主权项】:
1.一种用在极紫外光刻系统中的光学传感器装置,所述光学传感器装置包括:光学传感器,所述光学传感器包括传感器表面;和去除机构,所述去除机构构造用于从所述传感器表面去除碎片。
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