[发明专利]在晶片上的硅化物形成有效
| 申请号： | 200780036100.8 | 申请日： | 2007-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN101517730A | 公开（公告）日： | 2009-08-26 |
| 发明（设计）人： | 埃里克·格里岑;韦罗妮克·德-容;斯尔詹·科尔迪克 | 申请（专利权）人： | NXP股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈 源;张天舒 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种在半导体晶片上选择性形成硅化物的方法，其中在施加SiProt掩膜(10，16，22)之前在整个晶片上沉积金属层(12)，从而对掩膜(10，16，22)的任何蚀刻都不会导致硅晶片的任何表面损伤。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 硅化物 形成 | ||
【主权项】：
1.一种在半导体晶片上选择性地形成硅化物的方法，该半导体晶片包括要在其上形成硅化物的一个或多个第一区域(A)以及不想在其上形成硅化物的一个或多个第二区域(B)，所述方法包括：a)在所述晶片上沉积金属层(12)来覆盖所述第一和第二区域(A，B)；b)施加掩膜层(16，10，22)来覆盖所述金属层(12)；和c)执行硅化工艺；其中，使所述掩膜层(10，16，22)形成图案以使得仅在所述一个或多个第一区域(A)中的金属暴露于所述硅化工艺。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
