[发明专利]采用法兰式结构的高频终端阻抗无效
| 申请号： | 200780036447.2 | 申请日： | 2007-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN101523520A | 公开（公告）日： | 2009-09-02 |
| 发明（设计）人： | F·魏斯 | 申请（专利权）人： | 罗森伯格高频技术有限及两合公司 |
| 主分类号： | H01C7/00 | 分类号： | H01C7/00;H01C1/14;H01P1/26 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 沈英莹 |
| 地址： | 德国弗*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 一种高频终端阻抗，具有法兰体(10)和设置在所述法兰体上的平面的层结构(16、18、20)，所述层结构在基片(12)的顶面(14)上具有一用于将高频能量转化成热的阻抗层(16)、一用于输送高频能量的输入印制导线(18)和一用于与所述法兰体(12)上的接地触点电连接的接地印制导线(20)，其中所述输入印制导线(18)与所述阻抗层(16)的第一端电连接，所述接地印制导线(20)与所述阻抗层(16)的位于所述第一端对面的第二端电连接，所述基片(12)以背离所述层结构(16、18、20)的支承面(22)贴靠在所述法兰体(10)上，进行如下设置，所述法兰体(10)在所述基片(12)上的接地印制导线(20)所面向的第一边缘(24)在沿着平行于所述边缘(24)的方向的至少一个预定的区段上以及在沿着垂直于所述边缘(24)的方向的一个预定的区段上弯曲，从而所述法兰体(10)的弯曲区段(26)延伸到在由所述基片(12)的支承面(22)所规定的第一平面和由所述基片(12)的顶面(14)所规定的第二平面之间的空间中，其中所述基片(12)以一侧面(28)与所述法兰体(10)的弯曲区段(26)接触，所述侧面(28)使得所述基片(12)的支承面(22)与所述基片(12)的顶面(14)连接并且面向在所述基片(12)的顶面(14)上的接地印制导线(20)。 | ||
| 搜索关键词： | 采用 法兰 结构 高频 终端 阻抗 | ||
【主权项】：
1. 一种高频终端阻抗，具有一法兰体(10)和一设置在所述法兰体上的平面的层结构(16、18、20)，所述层结构在基片(12)的顶面(14)上具有一用于将高频能量转化成热的阻抗层(16)、一用于输送高频能量的输入印制导线(18)和一用于与所述法兰体(12)上的接地触点电连接的接地印制导线(20)，其中所述输入印制导线(18)与所述阻抗层(16)的第一端电连接，所述接地印制导线(20)与所述阻抗层(16)的位于所述第一端对面的第二端电连接，所述基片(12)以一背离所述层结构(16、18、20)的支承面(22)贴靠在所述法兰体(10)上，其特征在于，所述法兰体(10)在所述基片(12)上的接地印制导线(20)所面向的第一边缘(24)在沿着平行于所述边缘(24)的方向的至少一个预定的区段上以及在沿着垂直于所述边缘(24)的方向的一个预定的区段上弯曲，从而所述法兰体(10)的弯曲区段(26)延伸到在由所述基片(12)的支承面(22)所规定的第一平面和由所述基片(12)的顶面(14)所规定的第二平面之间的空间中，其中所述基片(12)以一侧面(28)与所述法兰体(10)的弯曲区段(26)接触，所述侧面(28)使得所述基片(12)的支承面(22)与所述基片(12)的顶面(14)连接且面向在所述基片(12)的顶面(14)上的接地印制导线(20)。
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