[发明专利]光刻设备和器件制造方法无效
| 申请号： | 200780037966.0 | 申请日： | 2007-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN101523293A | 公开（公告）日： | 2009-09-02 |
| 发明（设计）人： | M·M·J·W·范赫彭;V·Y·班尼恩;J·P·H·德卡斯特尔;J·H·J·莫尔斯;L·H·J·斯蒂文斯;B·T·沃尔斯克里基恩;Y·V·塞德尔尼科;M·H·L·范德威尔登;W·A·索尔;K·杰里森;T·斯蒂恩 | 申请（专利权）人： | ASML荷兰有限公司;卡尔蔡斯SMT股份公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 王新华 |
| 地址： | 荷兰维*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 本发明公开一种光刻设备，其构造成将图案化的辐射束投影到衬底的目标部分上。该设备包括：第一辐射剂量探测器和第二辐射剂量探测器，每个探测器包括构造成接收辐射流和发射由于接收所述辐射流而产生的二次电子的二次电子发射表面，从辐射传播的方向看，所述第一辐射剂量探测器位于所述第二辐射剂量探测器的下游；和计量表，其连接到每个探测器，用以探测由来自各个电子发射表面的所述二次电子发射导致的电流或电压。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 设备 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种构造成将图案化的辐射束投影到衬底的目标部分上的光刻设备，所述设备包括：第一辐射剂量探测器和第二辐射剂量探测器，每个探测器包括二次电子发射表面，所述二次电子发射表面构造成接收辐射流和发射由于接收所述辐射流而产生的二次电子，从辐射传播的方向看，所述第一辐射剂量探测器位于所述第二辐射剂量探测器的上游；和计量表，其连接到每个探测器，用以探测由来自各个电子发射表面的所述二次电子发射导致的电流或电压。
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