[发明专利]化学抵抗性半导体处理室本体

摘要

在一个实施方式中，揭示了一种处理室本体，该处理器本体使得半导体处理设备至少部分装设在该处理室本体内，该半导体处理装置被配置为使用流体对基板进行处理。该处理器本体包含用来形成该处理室本体的基底材料，该处理室本体由至少一个下表面和与该下表面一体连接的侧壁表面定义，以能够捕获该处理室本体上方的基板处理期间溢出的流体。另外，该基底材料是金属的。该处理器本体还有位于该基底材料上并覆盖该基底材料的底层涂层材料。该底层涂层材料具有金属组分和非金属组分，该金属组分用以与该基底材料整体粘合。该处理室本体还包括位于该底层涂层材料上并覆盖该底层涂层材料的主涂层材料。该主涂层材料由非金属组分定义，该主涂层材料的非金属组分定义了与该底层涂层材料的整体粘合。该主涂层材料被定义为完全覆盖在该底层涂层的所有金属组分上。

主权项

1.一种处理室本体，该处理器本体使得半导体处理设备至少部分装设在该处理室本体内，该半导体处理装置被配置为使用流体对基板进行处理，该处理室本体包含：用来形成该处理室本体的基底材料，该处理室本体由至少一个下表面和与该下表面一体连接的侧壁表面定义，以能够捕获该处理室本体上方的基板处理期间溢出的流体，该基底材料是金属的；位于该基底材料上并覆盖该基底材料的底层涂层材料，该底层涂层材料具有金属组分和非金属组分，该金属组分用以与该基底材料整体粘合；及位于该底层涂层材料上并覆盖该底层涂层材料的主涂层材料，该主涂层材料由非金属组分定义，该主涂层材料的非金属组分定义了与该底层涂层材料的整体粘合，该主涂层材料被定义为完全覆盖在该底层涂层的所有金属组分上。