[发明专利]非易失性存储器中的经分割的软编程

摘要

执行软编程以使一组已擦除存储器单元的阈值电压分布变窄。软编程可使存储器单元的阈值电压偏移而较接近于已擦除状态的验证电平。可通过软编程一组存储器单元的部分来软编程所述组存储器单元，以提供较一致的软编程速率及阈值电压。可将第一软编程脉冲施加到所述组存储器单元中的第一群组单元同时抑制软编程第二群组单元。接着可将第二软编程脉冲施加到所述第二群组单元同时抑制软编程所述第一群组单元。可将量值低于软编程脉冲的小的正电压施加到待抑制的所述群组单元。可选择所述小的正电压的大小，使得所述组存储器单元中的每一存储器单元在经受软编程时将经历来自相邻晶体管的类似的电容耦合效应。

主权项

1.一种软编程非易失性存储器的方法，其包含：将软编程电压施加到一组非易失性存储元件的第一子组，同时抑制软编程所述组非易失性存储元件的第二子组；将所述软编程电压施加到所述第二子组，同时抑制软编程所述第一子组；验证在将所述软编程电压施加到所述第一子组及将所述软编程电压施加到所述第二子组之后所述组存储元件是否已经软编程；及如果所述组存储元件未验证为已经软编程，则重复将所述软编程电压施加到所述第一子组及将所述软编程电压施加到所述第二子组中的至少一者。