[发明专利]石英保护环无效
申请号: | 200780038473.9 | 申请日: | 2007-10-16 |
公开(公告)号: | CN101529561A | 公开(公告)日: | 2009-09-09 |
发明(设计)人: | 迪安·J·拉松;丹尼尔·布朗;沙鲁巴·J·乌拉尔 | 申请(专利权)人: | 朗姆研究公司 |
主分类号: | H01L21/3065 | 分类号: | H01L21/3065;H01L21/205 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 吴贵明 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 一种用于在半导体基片处理中使用的等离子反应室的电极总成。该总成包括上部电极、贴附到该上部电极的上表面的背衬构件和外环。该外环围绕该背衬构件的外部表面并且位于该上部电极的上表面之上。 | ||
搜索关键词: | 石英 保护环 | ||
【主权项】:
1.一种在半导体基片处理中使用的等离子反应室的电极总成包括:上部电极;背衬构件,该背衬构件可贴附于该上部电极的上表面;以及外环,其围绕该背衬构件的外部表面并位于该上部电极的上表面之上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造