[发明专利]半导体陶瓷组合物及其制备方法有效
| 申请号： | 200780039846.4 | 申请日： | 2007-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN101528632A | 公开（公告）日： | 2009-09-09 |
| 发明（设计）人： | 岛田武司;田路和也 | 申请（专利权）人： | 日立金属株式会社 |
| 主分类号： | C04B35/46 | 分类号： | C04B35/46;H01C7/02 |
| 代理公司： | 北京泛诚知识产权代理有限公司 | 代理人： | 文 琦;陈 波 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了一种不含Pb的半导体陶瓷组合物，其中居里温度在正方向上改变并且获得高的跃升特性，同时将室温电阻的增加抑制到最小值。具体而言，本发明公开了一种通过下述步骤获得的半导体陶瓷组合物：烧结由(BaR)TiO3煅烧粉末或Ba(TiM)O3煅烧粉末(其中R和M均是半导体掺杂物)构成的BT煅烧粉末和由(BiNa)TiO3煅烧粉末构成的BNT煅烧粉末的煅烧粉末混合物，其中BaTiO3的一部分Ba被Bi-Na替代。所述半导体陶瓷组合物通过将BaCO3和/或TiO2添加到所述BT煅烧粉末、或所述BNT煅烧粉末、或它们的混合物中而获得。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 陶瓷 组合 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种BaTiO3的一部分Ba被Bi-Na替代的半导体陶瓷组合物，所述半导体陶瓷组合物是通过下述步骤获得的：烧结包含含有(BaR)TiO3煅烧粉末或Ba(TiM)O3煅烧粉末(其中R和M均是半导体掺杂物)的BT煅烧粉末和含有(BiNa)TiO3煅烧粉末的BNT煅烧粉末的混合的煅烧粉末；其中将BaCO3和/或TiO2添加到所述BT煅烧粉末、或所述BNT煅烧粉末、或混合的煅烧粉末中。
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