[发明专利]受应力的场效晶体管以及其制造方法无效
| 申请号： | 200780040230.9 | 申请日： | 2007-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN101632159A | 公开（公告）日： | 2010-01-20 |
| 发明（设计）人： | A·M·魏特;S·卢宁 | 申请（专利权）人： | 先进微装置公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 | 代理人： | 程 伟;王锦阳 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供一种受应力的场效晶体管(40)以及其制造方法。该场效晶体管(40)包括硅衬底(44)，在该硅衬底上覆有栅极绝缘体(54)。栅电极(62)覆于该栅极绝缘体上，并且确定信道区域(68)于该栅电极之下方的该硅衬底中。具有第一厚度的第一硅锗区域(76)系嵌入该硅衬底中，并接触该信道区域。具有第二厚度的第二硅锗区域(82)也嵌入该硅衬底中，该第二厚度大于该第一厚度，并且该第二硅锗区域与该信道区域分隔开。 | ||
| 搜索关键词： | 应力 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种受应力的场效晶体管(40)，包括：硅衬底(44)；栅极绝缘体(54)，覆于该硅衬底上；栅电极(62)，覆于该栅极绝缘体上；信道区域(68)，在该硅衬底中且位于该栅电极下方；第一嵌入硅锗区域(76)，具有第一厚度且接触该信道区域；以及第二嵌入硅锗区域(82)，具有大于该第一厚度的第二厚度且与该信道区域分隔开。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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