[发明专利]半导体陶瓷组合物及其制备方法无效
| 申请号： | 200780040496.3 | 申请日： | 2007-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN101528633A | 公开（公告）日： | 2009-09-09 |
| 发明（设计）人： | 岛田武司;田路和也 | 申请（专利权）人： | 日立金属株式会社 |
| 主分类号： | C04B35/46 | 分类号： | C04B35/46;H01C7/02 |
| 代理公司： | 北京泛诚知识产权代理有限公司 | 代理人： | 文 琦;杨本良 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了一种包含一部分Ba被Bi-Na替代的BaTiO3的半导体陶瓷组合物及其制备方法，所述半导体陶瓷组合物能够在煅烧过程中抑制Bi的蒸发、能够抑制Bi-Na的组成改变从而抑制不同相的形成、能够进一步降低室温电阻、以及能够抑制居里温度的波动。彼此单独提供Ba(TiM)O3煅烧粉末(其中M表示转化为半导体的元素)和(BiNa)TiO3煅烧粉末。Ba(TiM)O3煅烧粉末在最适温度(相对较高的温度)下煅烧。另一方面，(BiNa)TiO3煅烧粉末在最适温度(相对较低的温度)下煅烧。根据上述构成，可以抑制Bi的蒸发并且可以抑制Bi-Na的组成改变从而抑制不同相的形成。通过将这些煅烧粉末混合在一起、使混合物成形、以及烧结成形体，可以制得具有低的室温电阻并且可以抑制居里温度的波动的半导体陶瓷组合物。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 陶瓷 组合 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制备BaTiO3的一部分Ba被Bi-Na替代的半导体陶瓷组合物的方法，该方法包括：制备Ba(TiM)O3煅烧粉末(其中M为半导体掺杂物)的步骤；制备(BiNa)TiO3煅烧粉末的步骤；混合所述Ba(TiM)O3煅烧粉末和所述(BiNa)TiO3煅烧粉末的步骤；以及成形并烧结所述混合的煅烧粉末的步骤。
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