[发明专利]形成具有高介电常数的结构的方法和具有高介电常数的结构无效
| 申请号： | 200780042144.1 | 申请日： | 2007-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN101542657A | 公开（公告）日： | 2009-09-23 |
| 发明（设计）人： | 巴斯卡尔·斯里尼瓦桑;约翰·A·斯迈思 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01G4/12 | 分类号： | H01G4/12;H01L21/02;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 王允方 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明揭示一种形成例如层等介电结构的方法。所述方法包括从高k材料的多个部分形成高k结构。通过沉积所述高k材料的多个单层并使所述高k材料退火而形成所述高k材料的所述多个部分中的每一者。所述高k材料可为钙钛矿型材料，其包含(但不限于)钛酸锶。还揭示一种介电结构、并入有介电结构的电容器和形成电容器的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 具有 介电常数 结构 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成结构的方法，其包括：从高k材料的多个部分形成高k结构，其中通过以下步骤形成所述高k材料的所述多个部分中的每一者：沉积所述高k材料的多个单层；以及使所述高k材料退火。
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