[发明专利]应力增强的MOS晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 200780042766.4 | 申请日： | 2007-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN101578690A | 公开（公告）日： | 2009-11-11 |
| 发明（设计）人： | R·帕尔;I·佩多斯;D·布朗 | 申请（专利权）人： | 先进微装置公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/04 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 | 代理人： | 程 伟;王锦阳 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供一种应力增强的MOS晶体管(30)及其制造方法。于一个实施例中，该方法包括形成栅极电极(62)，该栅极电极覆盖和界定于单晶半导体衬底(38)中的沟道区(68)。具有面对该沟道区之侧表面(78、80)之沟槽(72、74)被蚀刻入该单晶半导体衬底中且邻近该沟道区。沟槽被填满具有第一浓度的取代原子的第二单晶半导体材料(82、90)和具有第二浓度的取代原子之第三单晶半导体材料(88、100)。第二单晶半导体材料(82、90)外延生长成具有延着该侧表面之壁厚度足以施加较将由具有第二浓度的单晶半导体材料所施加应力(假如该沟槽仅被填满第三单晶半导体材料时)为大之应力于沟道区(68)。 | ||
| 搜索关键词： | 应力 增强 mos 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种用于制造应力增强的MOS器件(30)的方法，该MOS器件具有位于半导体衬底(38)的表面(56)的沟道区(68)，该方法包括下列步骤：蚀刻沟槽(72、74)进入该半导体衬底中且邻近该沟道区，每个该沟槽具有面对该沟道区的侧表面(78、80)、和底表面(76)；在衬底沟槽中外延生长具有第一浓度的锗的SiGe的第一层(82)，以部分填满这些沟槽，该SiGe的第一层在该侧表面上具有第一生长率，而在该底表面上具有小于该第一生长率的第二生长率；以及外延生长具有小于该第一浓度的第二浓度的锗的SiGe的第二层(88)以填满这些沟槽。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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