[发明专利]减小半导体装置的临界尺寸的方法和具有减小的临界尺寸的部分制造的半导体装置

摘要

本发明提供一种在目标层上形成特征的方法。所述特征具有与用作掩模的抗蚀剂层的部分的临界尺寸相比减小三倍或四倍的临界尺寸。在目标层上沉积中间层，且在所述中间层上形成所述抗蚀剂层。在图案化所述抗蚀剂层之后，在所述抗蚀剂层的剩余部分的侧壁上形成第一间隔物，从而掩蔽所述中间层的部分。在所述中间层的所述部分的侧壁上形成第二间隔物。在移除所述中间层的所述部分之后，将所述第二间隔物用作掩模以在所述目标层上形成所述特征。还揭示一种部分制造的集成电路装置。

主权项

1.一种在目标层上形成特征的方法，其包括：在目标层上形成中间层；在位于所述中间层上方的抗蚀剂层中形成开口；在所述抗蚀剂层的部分的侧壁上形成第一组间隔物；使所述目标层的除被所述第一组间隔物掩蔽的部分以外的部分暴露；使所述中间层的部分暴露；在所述中间层的所述部分上形成第二组间隔物；移除所述中间层的所述部分；以及在所述目标层的暴露的部分中形成特征。