[发明专利]用于降低模拟浮栅电池中的电荷损失的方法有效
| 申请号： | 200780044921.6 | 申请日： | 2007-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN101601095A | 公开（公告）日： | 2009-12-09 |
| 发明（设计）人： | R·A·斯波里;S·S·乔治斯库;IM·I·波伊纳鲁 | 申请（专利权）人： | 催化剂半导体公司 |
| 主分类号： | G11C11/34 | 分类号： | G11C11/34 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 屠长存 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 响应于第一非易失性存储器(NVM)晶体管的编程的阈值电压，电压基准电路提供基准电压。通过将编程的电压施加到隧穿电容器的共同连接的源/漏区对第一NVM晶体管的阈值电压编程，所述源/漏区与第一NVM晶体管共用浮栅。在电压基准电路的正常工作期间，隧穿电容器的源/漏区被连接到第二NVM晶体管，该第二NVM晶体管与第一NVM晶体管的浮栅具有相同的电学和热特性。结果，从第一NVM晶体管的浮栅的电荷损失被有利地最小化。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 降低 模拟 电池 中的 电荷 损失 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在集成电路中提供基准电压的方法，包括：通过隧穿电容器对第一非易失性存储器晶体管，即NVM晶体管，的阈值电压编程，其中第一NVM晶体管和所述隧穿电容器共用第一浮栅，并且所述隧穿电容器具有与所述第一浮栅分离的编程端；接着将所述隧穿电容器的所述编程端耦合到半导体结构，所述半导体结构具有被选择为与所述第一浮栅的电学和热特性匹配的电学和热特性；以及在将所述隧穿电容器的所述编程端耦合到所述半导体结构时，响应于所述第一NVM晶体管的编程的阈值电压，生成单端的基准电压。
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