[发明专利]用于薄膜金属层形成的成核层有效
| 申请号： | 200780048674.7 | 申请日： | 2007-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN101573228A | 公开（公告）日： | 2009-11-04 |
| 发明（设计）人： | 瓦尔特·司托斯;克拉克·I·布莱特 | 申请（专利权）人： | 3M创新有限公司 |
| 主分类号： | B32B15/00 | 分类号： | B32B15/00;B32B17/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 郇春艳;樊卫民 |
| 地址： | 美国明*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了一种导电膜，其在柔性聚合物支承体上通过如下方式形成：涂敷种子层到所述柔性聚合物支承体，并且在所述种子层上涂敷可延展的、透射可见光的金属层，所述种子层包括氧化镓、氧化铟、氧化镁、氧化锌、氧化锡或它们的混合物(包括混合型氧化物)。所述种子层氧化物有利地促进随后以更均匀或更致密方式涂敷的金属层的沉积，或促进连续金属层的更早形成(即，以较薄的涂敷厚度)。所得的膜具有高的可见光透射比和低的电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 薄膜 金属 形成 成核 | ||
【主权项】：
1.一种在柔性聚合物支承体上形成导电膜的方法，该方法包括：a)在所述柔性聚合物支承体上形成种子层，所述种子层包括氧化镓、氧化铟、氧化镁、氧化锌、氧化锡或者含有它们的混合型氧化物或掺杂型氧化物的混合物；以及b)在所述种子层上沉积可延展的、透射可见光的金属层。
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