[发明专利]具有未合金硅化物的迁移率增加的结构和方法有效
| 申请号： | 200780049185.3 | 申请日： | 2007-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN101573795A | 公开（公告）日： | 2009-11-04 |
| 发明（设计）人： | 刘耀诚;D·奇丹巴尔拉奥;K·里姆;O·格卢斯陈克夫;R·T·莫;J·R·霍尔特 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L27/10 | 分类号： | H01L27/10;H01L21/82 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 于 静;李 峥 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 虽然嵌入的硅锗合金和硅碳合金提供许多有用的应用，尤其是通过应力工程增强MOSFET的迁移率，但是在这些表面上形成合金硅化物会使器件性能劣化。本发明提供的结构与方法在半导体衬底上的此类硅合金表面上提供未合金硅化物。这使得能够为相同半导体衬底上的具有嵌入的SiGe的迁移率增加的PFET和具有嵌入的Si:C的迁移率增强的NFET形成低电阻接触。此外，本发明提供用于高于栅极电介质层的厚外延硅合金，尤其是厚外延Si:C合金的方法以增加晶体管器件的沟道上的应力。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 合金 硅化物 迁移率 增加 结构 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体晶体管，包括：单晶硅沟道(120，220)；在所述单晶硅沟道的顶上的栅极(30，32，88)；以及源极(162，162’，190，186，262，262’，290，286)和漏极(162，162’，190，186，262，262’，290，286)，位于所述单晶硅沟道的两侧；其中，所述源极和所述漏极中的至少一个包括叠层，所述叠层包含未合金金属硅化物(186，286)、外延硅层(190，290)和外延硅合金层(162’，262’)，所述外延硅合金层选自硅锗合金、硅碳合金和硅锗碳合金。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于国际商业机器公司，未经国际商业机器公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200780049185.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种钢琴线—光电微分仪
- 下一篇：节能电梯
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
