[发明专利]光伏装置的制造方法有效
| 申请号： | 200780052695.6 | 申请日： | 2007-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN101652866A | 公开（公告）日： | 2010-02-17 |
| 发明（设计）人： | 西村邦彦;松野繁 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/04 | 分类号： | H01L31/04 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 李今子 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种可以简便地形成纵横比大于0.5的组织的光伏装置的制造方法。包括：在硅基板上形成具有耐蚀刻性的膜的工序；通过照射焦点深度被调整为10μm以上的激光光束，在上述具有耐蚀刻性的膜上打开多个微细孔而使基底的硅基板表面露出的工序；以及对上述硅基板的表面进行蚀刻的工序，在使上述硅基板表面露出的工序中，在上述具有耐蚀刻性的膜的下部的硅基板上，在与上述微细孔同心的位置处形成微细凹陷。 | ||
| 搜索关键词： | 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种光伏装置的制造方法，其特征在于，包括：在硅基板上形成具有耐蚀刻性的膜的工序；通过照射激光光束，在上述具有耐蚀刻性的膜上打开多个微细孔而使基底的硅基板表面露出的工序；以及对上述硅基板所露出的表面进行蚀刻的工序，在使上述硅基板表面露出的工序中，在上述微细孔的底部露出的上述硅基板的表面形成微细凹陷。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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