[发明专利]一种制造有机电子器件或者光电器件的方法有效
| 申请号： | 200780100449.3 | 申请日： | 2007-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN101849281A | 公开（公告）日： | 2010-09-29 |
| 发明（设计）人： | 刘凤仪;贾伦特·杜孟德;庄秀菱;山本恭子;雨宫聪 | 申请（专利权）人： | 科技研究局;住友化学株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/208 | 分类号： | H01L21/208;H01L33/00;H01L21/302;H01L51/56 |
| 代理公司： | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人： | 余朦;王艳春 |
| 地址： | 新加坡*** | 国省代码： | 新加坡;SG |
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| 摘要： | 一种制造有机电子器件或者光电器件的方法，所述方法包括以下步骤：(a)提供其表面形成有多个堤部的基底，在所述多个堤部之间形成有交替的井孔形成物，所述堤部的表面上形成有一定尺寸的压印形成物，所述压印形成物为所述堤部的表面提供了与所述井孔表面不同的选定润湿特性；以及(b)将有机溶液沉积到所述井孔形成物中，其中所述堤部的润湿特性使得任何沉积在其上的有机溶液至少被部分排斥。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制造 有机 电子器件 或者 光电 器件 方法 | ||
【主权项】：
一种制造有机电子器件或者光电器件的方法，所述方法包括以下步骤：(a)提供其表面形成有多个堤部的基底，在所述多个堤部之间形成有交替的井孔形成物，所述堤部的表面上形成有一定尺寸的压印形成物，所述压印形成物为所述堤部的表面提供了与所述井孔表面不同的选定润湿特性；以及(b)将有机溶液沉积到所述井孔形成物中，其中所述堤部的润湿特性使得任何沉积在其上的有机溶液至少被部分排斥。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
