[发明专利]具有晶粒置入通孔之晶圆级封装及其方法有效
| 申请号： | 200810000107.0 | 申请日： | 2008-01-02 |
| 公开（公告）号： | CN101221936A | 公开（公告）日： | 2008-07-16 |
| 发明（设计）人： | 杨文焜 | 申请（专利权）人： | 育霈科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/13;H01L21/50;H01L21/58;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京挺立专利事务所 | 代理人： | 叶树明 |
| 地址： | 中国台湾新竹县湖*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明系揭露一种封装结构，包含具有晶粒置入通孔之基底、连接穿孔结构及第一接触垫。晶粒系配置于上述晶粒置入通孔之内，环绕层充填于晶粒与晶粒置入通孔侧壁间之间隙，及/或形成于晶粒之下表面。介电层形成于晶粒与基底之上，重布层(RDL)形成于介电层之上且耦合至第一接触垫。保护层形成于重布层(RDL)之上，以及第二接触垫形成于基底之下表面及连接穿孔结构之下。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 晶粒 置入 晶圆级 封装 及其 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置封装结构，其特征在于：所述半导体装置封装结构，包含：一基底具有一晶粒置入通孔、一连接穿孔及一第一接触垫；一晶粒配置于该晶粒置入通孔之内；一环绕层充塡于该晶粒与该晶粒置入通孔侧壁间之间隙，及/或形成于该晶粒之下表面；一介电层形成于该晶粒与该基底之上；一重布层形成于该介电层之上且耦合至该第一接触垫；一保护层形成于该重布层之上；以及一第二接触垫形成于该基底之下表面及该连接穿孔结构之下。
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