[发明专利]一种背接触太阳能电池的制备技术

摘要

本发明涉及一种背接触晶体硅太阳能电池的制作方法。选择P型或N型晶体硅硅片为衬底，经常规清洗和表面织构化后，在硅片的背表面淀积掺杂源。然后利用激光对欲形成掺杂区的区域进行加热，使掺杂源中的杂质扩散进入硅片中。而没有激光加热的区域温度较低，掺杂源不会进入硅片。激光处理结束后，用水或其它溶剂去除残留的掺杂源。这样，就在限定的区域形成了掺杂区。采用这种方法，可以简单地实现背表面限定区域内的掺杂。然后利用丝网印刷、光刻、或真空蒸发、溅射等常规方法分别制备发射区和基区电极，并完成电池的制作。用这种方法制备背接触电池，可以明显简化电池的制作工艺，减少工艺成本。

主权项

1. 一种背接触晶体硅太阳能电池的制作方法，其步骤包括：(1)采用厚度为100～500μm，电阻率为0.2～500Ωcm的P型或N型晶体硅作为衬底；(2)用常规方法在所述硅衬底正表面作表面织构化；然后作常规清洗；(3)在所述硅衬底背表面，淀积掺杂源；淀积方法包括喷涂、印刷以及其它常规的淀积方法；(4)利用激光对欲形成掺杂区的区域进行加热形成掺杂区；(6)采用常规的丝网印刷、真空蒸发或溅射方法，在所述掺杂区上制备基区或发射区金属电极。