[发明专利]液晶显示单元结构及其制造方法无效
申请号: | 200810001059.7 | 申请日: | 2008-01-18 |
公开(公告)号: | CN101221926A | 公开(公告)日: | 2008-07-16 |
发明(设计)人: | 李刘中;林祥麟;黄国有 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/84 | 分类号: | H01L21/84;H01L21/768;H01L27/12;H01L23/522;G02F1/1362 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人: | 梁挥;祁建国 |
地址: | 台湾*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开了一种液晶显示单元结构及其制造方法,该方法包含下列步骤:于一基板上形成一图案化第一金属层,其包含一第一数据导线段及一下栅极垫;形成一图案化介电层,以于该第一数据导线段上定义多个第一开口以及于该下栅极垫上定义一第二开口;形成一图案化第二金属层,其包含一共享电极线、一第二数据导线段及一上栅极垫,其中,该上栅极垫通过该第一开口与该下栅极垫呈电性连接,以及该第二数据导线段通过该些第一开口与该第一数据导线段呈电性连接;形成一图案化保护层;以及形成一图案化透明导电层。采用本发明,可避免寄生电容Cpd效应产生的问题,工艺简单、成本低。 | ||
搜索关键词: | 液晶显示 单元 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种制造一液晶显示单元结构的方法,其特征在于,包含:于一基板上形成一图案化第一金属层,其包含一栅极导线、一第一数据导线段及一下栅极垫;在该基板上依序形成一介电层、一半导体层及一光刻胶层;使用半调光掩膜进行微影程序;移除部分该光刻胶层,形成多个第一开口以曝露该第一数据导线段两端上方的该半导体层表面,及至少形成一第二开口以曝露该下栅极垫上方的该半导体层表面;移除该些第一开口及该第二开口内的该半导体层及/或其下的该介电层;移除部份该光刻胶层,使残余的该光刻胶层至少位于该栅极导线上方;移除未被该光刻胶层覆盖的该半导体层;移除剩余的该光刻胶层,以形成一图案化介电层及一图案化半导体层;形成一图案化第二金属层于该图案化介电层及该图案化半导体层上,其包含一共享电极线、一第二数据导线段及一上栅极垫,其中,该第二数据导线段通过该些第一开口与该第一数据导线段呈电性连接,该上栅极垫通过该第二开口与该下栅极垫呈电性连接;形成一图案化保护层;以及形成一图案化透明导电层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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