[发明专利]布线结构及其制造方法有效
| 申请号： | 200810001917.8 | 申请日： | 2004-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN101217136A | 公开（公告）日： | 2008-07-09 |
| 发明（设计）人： | 多田宗弘;林喜宏;原田惠充;伊藤文则;大竹浩人;宇佐美达矢 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社;恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L23/532;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 钟强;关兆辉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种布线结构及其制造方法，在形成有半导体元件的基板上层叠金属布线来实现半导体元件的连接的多层布线结构中，在多孔绝缘膜内形成细微的金属布线时，不会产生泄漏电流而损坏邻接的布线间的绝缘性，邻接的布线间的绝缘耐性不会劣化。在形成有半导体元件的基板上的金属布线结构中，在层间绝缘膜和金属布线之间形成含有有机物的绝缘性阻挡层(413)。该绝缘性阻挡层可以降低邻接的布线间的泄漏电流，提高绝缘可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 布线 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在半导体基板上的绝缘膜上形成的多层布线的布线结构，其由以下部分构成：金属布线，将多孔绝缘膜、和设在所述多孔绝缘膜上的第2绝缘膜贯通形成，以铜为主成分；和形成于所述第2绝缘膜上的第1绝缘膜，其中，所述第1绝缘膜和所述第2绝缘膜由相同材料形成。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日本电气株式会社;恩益禧电子股份有限公司，未经日本电气株式会社;恩益禧电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810001917.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
