[发明专利]相位移掩模及其形成图案的方法有效
| 申请号： | 200810001934.1 | 申请日： | 2008-01-03 |
| 公开（公告）号： | CN101477302A | 公开（公告）日： | 2009-07-08 |
| 发明（设计）人： | 傅国贵;吴元薰;王雅志 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/00 | 分类号： | G03F1/00;G03F7/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种相位移掩模以及使用此相位移掩模形成图案的方法。此相位移掩模包含玻璃基板与位于玻璃基板表面的图案、第一相位移区、第二相位移区以及第三相位移区。第一相位移区与第二相位移区彼此平行交互排列且第三相位移区位于第一相位移区的末端。 | ||
| 搜索关键词： | 相位 移掩模 及其 形成 图案 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种相位移掩模，包含：基板，该基板具有图案、第一相位移区和第二相位移区，其中该图案位于该第一相位移区和该第二相位移区交界处，且该第一相位移区和该第二相位移区之间具有第一相位差，而该第二相位移区至少具有一末端；以及第三相位移区，该第三相位移区位于该基板上并设置于该第二相位移区的该末端，且该第三相位移区与该第一相位移区之间具有第二相位差。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
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G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
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