[发明专利]在非易失性存储器件中的软编程方法无效
| 申请号： | 200810002752.6 | 申请日： | 2008-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN101364443A | 公开（公告）日： | 2009-02-11 |
| 发明（设计）人： | 朴成济 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 杨林森;杨红梅 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开了一种在非易失性存储器件中的软编程方法，用于执行软编程步骤以便改善被擦除的单元的阈值电压分布。在非易失性存储器件中的所述软编程方法包括：执行软编程以将存储单元的阈值电压提高给定的电平，其中，针对所述存储单元执行擦除操作；执行验证操作以验证在每个单元串中是否存在被编程到大于验证电压的电压的单元；以及重复执行所述软编程，直到验证整个单元串具有被编程到大于所述验证电压的电压的一个或多个单元。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 中的 编程 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于操作非易失性存储器件的方法，所述方法包括：执行软编程，以在对多个单元串的存储单元执行擦除操作后将单元串的存储单元的阈值电压提高；执行验证操作以确定每个单元串是否具有已被编程到大于验证电压的阈值电压的至少一个单元；以及重复所述软编程和验证操作，直到确定每个单元串具有被编程到大于验证电压的阈值电压的至少一个单元。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于海力士半导体有限公司，未经海力士半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810002752.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：轻汽油馏分的异构化方法
- 下一篇：用于无线通信系统的击穿信令信道
