[发明专利]电平转换电路无效
| 申请号： | 200810003062.2 | 申请日： | 2008-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN101388662A | 公开（公告）日： | 2009-03-18 |
| 发明（设计）人： | 林育信;廖学坤 | 申请（专利权）人： | 联发科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H03K19/0185 | 分类号： | H03K19/0185 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 任默闻 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种电平转换电路，所述电平转换电路包含：反相器，其输入端连接输入电压，用来输出反相输入电压；第一NMOS晶体管，其栅极连接所述输入电压，源极接地；第一厚氧化层NMOS晶体管，其栅极连接第一参考电压，源极耦接所述第一NMOS晶体管的漏极；第二NMOS晶体管，其栅极连接所述反相输入电压，源极接地；第二厚氧化层NMOS晶体管，其栅极连接所述第一参考电压，源极耦接所述第二NMOS晶体管的漏极；第一厚氧化层PMOS晶体管；第二厚氧化层PMOS晶体管；第三厚氧化层PMOS晶体管；以及第四厚氧化层PMOS晶体管。本发明的电平电路可用于低电压核心电路中，且能防止崩溃。 | ||
| 搜索关键词： | 电平 转换 电路 | ||
【主权项】：
1. 一种电平转换电路，其特征在于，所述电平转换电路包含：反相器，其输入端连接输入电压，用来输出反相输入电压，其中所述输入电压的范围介于低供应电压和零电平之间；第一NMOS晶体管，其栅极连接所述输入电压，源极接地；第一厚氧化层NMOS晶体管，其栅极连接第一参考电压，源极耦接所述第一NMOS晶体管的漏极；第二NMOS晶体管，其栅极连接所述反相输入电压，源极接地；第二厚氧化层NMOS晶体管，其栅极连接所述第一参考电压，源极耦接所述第二NMOS晶体管的漏极，其中所述第二厚氧化层NMOS晶体管的漏极输出输出电压，所述输出电压的范围介于高供应电压和零电平之间；第一厚氧化层PMOS晶体管，其栅极连接所述第二厚氧化层NMOS晶体管的漏极，源极连接所述第一厚氧化层NMOS晶体管的漏极；第二厚氧化层PMOS晶体管，其栅极连接所述第一厚氧化层NMOS晶体管的漏极，源极连接所述第二厚氧化层NMOS晶体管的漏极；第三厚氧化层PMOS晶体管，其栅极连接所述输入电压，源极连接所述第一厚氧化层PMOS晶体管的漏极，漏极连接所述高供应电压；以及第四厚氧化层PMOS晶体管，其栅极连接所述反相输入电压，源极连接所述第二厚氧化层PMOS晶体管的漏极，漏极连接所述高供应电压。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于联发科技股份有限公司，未经联发科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810003062.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：投影式显示装置
- 下一篇：信息处理系统及装置和方法、遥控器、程序和记录媒体
