[发明专利]基板保持机构和等离子体处理装置有效
申请号: | 200810003447.9 | 申请日: | 2008-01-15 |
公开(公告)号: | CN101226894A | 公开(公告)日: | 2008-07-23 |
发明(设计)人: | 石田宽 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/66;H01L21/00 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种基板保持机构,该基板保持机构包括:用于向载置台(300)和保持在该载置台(300)的基板保持面上的基板(G)之间供给气体的气体流路(352);将来自气体流路的气体导向基板保持面上的多个气孔(354);比被处理基板的周边向外侧仅离开规定的错位容许量(b)并沿周边配设的、以比载置台的基板保持面高的方式突出的错位检测用突起(332);测定流路的压力的压力表(363);和当将基板保持在载置台上时,根据来自压力测定机构的检测压力对来自气孔的气体的泄漏量进行检测,根据该检测结果对是否有规定的错位容许量以上的基板的错位进行检测的控制部(400)。 | ||
搜索关键词: | 保持 机构 等离子体 处理 装置 | ||
【主权项】:
1.一种基板保持机构,在生成等离子体的空间内载置保持由绝缘体构成的矩形的被处理基板,其特征在于,包括:载置保持所述被处理基板的矩形的载置台;用于向所述载置台和保持在该载置台的基板保持面上的被处理基板之间供给气体的气体流路;在所述载置台的基板保持面形成的、将来自所述气体流路的气体导向所述基板保持面上的多个气孔;以使形成所述气孔的区域成为所述基板保持面的内侧的方式,遍及所述气孔形成区域整个面而形成的凹部;在所述基板保持面的所述气孔形成区域的外周形成的框部;在所述框部形成的多个基板错位检测孔;连通所述基板错位检测孔和所述凹部的连通路;对所述气体流路的压力进行测定的压力测定机构;和在将被处理基板保持在所述载置台上时,根据来自所述压力测定机构的检测压力对来自所述气孔的气体的泄漏量进行检测,并根据该检测结果对所述被处理基板是否有所述规定的错位容许量以上的错位进行检测的错位检测机构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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