[发明专利]具有接触稳定性的半导体器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括被分为单元阵列区域、核心区域、和周边区域的半导体衬底。位线形成于所述各区域中。存储节点接触插塞形成于单元阵列区域中，且阻挡图案形成在核心区域和周边区域中的所述位线周围。电容器形成在单元阵列区域中以与存储节点接触插塞接触，且金属接触插塞形成与单元阵列区域的电容器和核心区域和周边区域的位线接触。在半导体器件中，即使金属接触插塞没有和位线对准，阻挡图案仍可用于稳定金属接触插塞和位线之间的接触。

主权项

1、一种半导体器件，包括：半导体衬底，其被分为单元阵列区域、核心区域、和周边区域；在所述各区域中形成于衬底上方的位线；形成于单元阵列区域中的存储节点接触插塞；形成在核心区域和周边区域中的所述位线周围的阻挡图案；形成在单元阵列区域中以与存储节点接触插塞接触的电容器；和形成与单元阵列区域的电容器和核心区域和周边区域的位线接触的金属接触插塞。