[发明专利]一种采用化学镀制造半导体装置的方法有效
| 申请号： | 200810005020.2 | 申请日： | 2008-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN101276730B | 公开（公告）日： | 2008-10-01 |
| 发明（设计）人： | 冯涛;孙明;何约瑟;刘凯 | 申请（专利权）人： | 万国半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/02;H01L21/30;H01L21/3205;H01L21/78;H01L21/301 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 百慕大哈密尔*** | 国省代码： | 百慕大群岛;BM |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种采用化学镀(化学沉积法)制造半导体装置的方法，该方法包括在湿处理过程中对晶圆后表面的保护。所述的方法包括以下步骤：层压晶圆后表面和具有保护带的框架、在晶圆外围区域和保护带的邻接暴露区域涂抹保护涂层、所述的保护涂层和保护带和晶圆形成一个被保护的晶圆基片，处理框架支撑的保护涂层、从围绕保护涂层的保护带上切割被保护的晶圆基片，湿处理被保护的晶圆基片、层压被保护的晶圆基片和第二保护带、切割晶圆、以及从保护带上拾取晶片。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 采用 化学 制造 半导体 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种采用化学镀法制造半导体装置的方法，其特征在于，包括以下步骤：层压晶圆后表面和保护带；化学镀所述的晶圆；层压所述的保护带和第二保护带；切割所述的晶圆；拾取晶片。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于万国半导体股份有限公司，未经万国半导体股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810005020.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
