[发明专利]快闪存储器及其制造方法

摘要

本发明提供一种快闪存储器的制造方法，首先提供已形成有多个隔离结构的基底，由于这些隔离结构的顶部高于基底，因此相邻的隔离结构之间形成多个开口。接着于这些开口内依序形成第一硅半导体层与第二硅半导体层以填满它。然后移除这些隔离结构的一部份，使这些隔离结构的顶部低于第二硅半导体层的顶部。而后在第一硅半导体层上形成硅晶粒层。之后于基底上依序形成栅间介电层与控制栅极，并图案化硅晶粒层、第一硅半导体层以及第二硅半导体层以形成浮置栅极。

主权项

1. 一种快闪存储器的制造方法，包括：提供基底，该基底中已形成有多个隔离结构，所述隔离结构的顶部高于该基底，且相邻的所述隔离结构之间形成多个开口；于所述开口内依序形成第一硅半导体层和第二硅半导体层；移除所述隔离结构的一部份，使所述隔离结构的顶部低于该第二硅半导体层的顶部；于该第一硅半导体层上形成硅晶粒层；于该基底上形成栅间介电层；以及于该基底上形成控制栅极，并图案化该硅晶粒层、该第一硅半导体层以及该第二硅半导体层以形成浮置栅极。