[发明专利]加工对象物的切断方法有效
| 申请号： | 200810005548.X | 申请日： | 2008-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN101409256A | 公开（公告）日： | 2009-04-15 |
| 发明（设计）人： | 坂本刚志 | 申请（专利权）人： | 浜松光子学株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;B23K26/00;B23K26/40;B23K26/16;B23K101/40 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙 淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种加工对象物的切断方法，该方法能够可靠地除去残留在芯片的切断面上的微粒。将板状的加工对象物沿切断预定线切断，使由此得到的多个半导体芯片(25)的每一个在扩张带(23)上相互分开，在该状态下，使扩张带(23)带静电。由于该电的作用，即使在半导体芯片(25)的切断面上形成有熔融处理区域，残留在半导体芯片(25)的切断面上的微粒也将从半导体芯片(25)的切断面射出。因此，可以可靠地除去残留在半导体芯片(25)的切断面上的微粒。 | ||
| 搜索关键词： | 加工 对象 切断 方法 | ||
【主权项】：
1.一种加工对象物的切断方法，其特征在于，通过将板状的加工对象物沿切断预定线切断而制造多个芯片，该加工对象物的切断方法包括：切断工序，通过向所述加工对象物照射激光，在所述加工对象物上沿所述切断预定线形成改质区域，以所述改质区域为切断的起点将所述加工对象物切断为所述芯片；带电工序，在使所述芯片的每一个在第1薄片上相互分开的状态下，至少向所述第1薄片照射可带电的第1离子流。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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