[发明专利]薄型晶体管结构和动态随机存取存储器及其制造方法无效
| 申请号： | 200810005689.1 | 申请日： | 2008-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN101510550A | 公开（公告）日： | 2009-08-19 |
| 发明（设计）人： | 陈伟钧 | 申请（专利权）人： | 茂德科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108;H01L23/522;H01L29/786;H01L21/8242;H01L21/768;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 中国台湾新*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种具有薄型晶体管结构的动态随机存取存储器，其包括多个薄型晶体管以及深埋层连接区，其设于有源区。每一所述晶体管位于所述有源区中，并包括漏极区、源极区以及栅极区，其中所述漏极区与所述源极区位于所述栅极区的同一侧，两者为上下关系配置，且所述源极区位于大倾角注入区中。其中每一所述晶体管的所述漏极区通过所述深埋层连接区相互连接，形成位线。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 结构 动态 随机存取存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种具有薄型晶体管结构的动态随机存取存储器，其包括：多个薄型晶体管，每一所述晶体管位于有源区中，并包括漏极区、源极区以及栅极区，其中所述漏极区与所述源极区位于所述栅极区的同一侧，两者为上下关系配置，且所述源极区位于大倾角注入区中；以及深埋层连接区，设于所述有源区；其中每一所述晶体管的漏极区通过所述深埋层连接区相互连接，形成位线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
