[发明专利]互连结构及其制作方法有效

专利信息
申请号: 200810005691.9 申请日: 2008-02-15
公开(公告)号: CN101246874A 公开(公告)日: 2008-08-20
发明(设计)人: 杨智超;丹尼尔·C·埃德尔斯坦;黄洸汉;杨海宁 申请(专利权)人: 国际商业机器公司
主分类号: H01L23/522 分类号: H01L23/522;H01L21/768
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 张波
地址: 美国纽*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 发明提供一种互连结构及其制作方法。在该互连结构中,嵌入介电材料内的导电特征用金属盖层覆盖,但在最终的结构中依然没有金属残留物存在于介电材料的表面上。本发明的互连结构与现有技术的互连结构相比,具有改善的介电击穿强度。而且,本发明的互连结构具有对于半导体工业更好的可靠性和技术扩展性。本发明的互连结构包括具有嵌入其中的至少一个金属覆盖导电特征的介电材料,其中所述至少一个金属覆盖导电特征的顶部分延伸高出介电材料的上表面。介电盖层位于介电材料上且包封所述至少一个金属覆盖导电特征的顶部分,所述顶部分延伸高出介电材料的上表面。
搜索关键词: 互连 结构 及其 制作方法
【主权项】:
1.一种互连结构,包括:介电材料,具有嵌入其中的至少一个金属覆盖导电特征,其中所述至少一个金属覆盖导电特征的顶部分延伸高于所述介电材料的上表面;以及介电盖层,位于所述介电材料上并包封所述至少一个金属覆盖导电特征的延伸高于所述介电材料的所述上表面的所述顶部分。
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