[发明专利]薄膜晶体管装置、其制造方法以及显示装置

摘要

提供一种用于良好的源极漏极接触以及保持电容部的电容稳定化、减小源极漏极间的泄漏、栅极绝缘膜的耐压提高、接触电阻的低电阻化的薄膜晶体管装置及其制造方法、以及具有薄膜晶体管装置的显示装置。本发明的薄膜晶体管装置的特征在于，具有：在衬底上的预定区域形成的具有源极区域、漏极区域和沟道区域的半导体层；形成在半导体层上的金属膜；形成在金属膜上和半导体层上的栅极绝缘膜；栅电极；层间绝缘膜；以及布线电极，其中，在半导体层的源极区域以及漏极区域上，至少在成为接触孔底部的区域形成金属膜，没有形成金属膜的区域的半导体层的膜厚比形成有金属膜的半导体层的膜厚薄。

主权项

1.一种薄膜晶体管装置，其中，具有：形成在衬底上的具有源极区域、漏极区域和沟道区域的半导体层；金属膜，形成在所述半导体层上的预定区域；栅极绝缘膜，形成在所述金属膜上以及所述半导体层上；栅电极，形成在所述栅极绝缘膜上；层间绝缘膜，形成在所述栅电极上以及所述栅极绝缘膜上；布线电极，形成在所述层间绝缘膜上，通过接触孔连接到所述金属膜，在所述半导体层的源极区域以及漏极区域，至少在成为所述接触孔底部的区域形成所述金属膜，没有形成所述金属膜的区域的所述半导体层的膜厚比形成有所述金属膜的所述半导体层的膜厚薄。