[发明专利]校正金属薄膜沉积位置的控片、方法及偏移量化方法无效
| 申请号： | 200810006012.X | 申请日： | 2008-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN101488444A | 公开（公告）日： | 2009-07-22 |
| 发明（设计）人： | 陈立轩;徐国冉 | 申请（专利权）人： | 和舰科技（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/3205;C23C16/52;C23C14/54 |
| 代理公司： | 北京连和连知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张春媛 |
| 地址： | 215025江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及集成电路制造工艺技术领域，且特别涉及一种校正金属薄膜沉积位置的控片、方法及偏移量化方法。本发明中发明的一种校正金属薄膜沉积位置的控片表面上设置有：定位标记；多组临近控片边缘的刻度标记，各组刻度标记标示出距控片边缘的多个可读取的距离值，以控片中心为顶点，上述多组刻度标记之间形成预定角度。由于本发明在空白的控片上引入了刻度和角度，因此在控片上沉积后可以从上述刻度和角度中读取出沉积偏移的方向及偏移量，便可以有目的的量化调整机台手臂或其它相关部件，得以提高调整效率和准确性。 | ||
| 搜索关键词： | 校正 金属 薄膜 沉积 位置 方法 偏移 量化 | ||
【主权项】：
1. 一种校正金属薄膜沉积位置的控片，其特征在于在控片表面上设置有：定位标记；多组临近控片边缘的刻度标记，各组刻度标记标示出距控片边缘的多个可读取的距离值，以控片中心为顶点，上述多组刻度标记之间形成预定角度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于和舰科技（苏州）有限公司，未经和舰科技（苏州）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810006012.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
