[发明专利]一种超低压保护器件的结构设计无效
| 申请号： | 200810006761.2 | 申请日： | 2008-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN101499490A | 公开（公告）日： | 2009-08-05 |
| 发明（设计）人： | 淮永进 | 申请（专利权）人： | 淮永进 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L21/329 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100015北京市朝*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 小于5V的低压保护器件通常用铝合金结工艺，或者多晶掺杂工艺形成浅结低压工艺，但所制造的器件由于漏电流大，导致应用中的设备功耗增加。本发明采用P型或N型单晶抛光片，通过异型掺杂或外延，形成P(N)-N(P)结构，通过隔离及在有源区注入或扩散，再淀积阻挡膜，蒸镀金属，形成高性能的超低压保护器件。这种新结构器件的漏电流小于1μA，电压均匀性良好，是非常理想的低压保护器件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 低压 保护 器件 结构设计 | ||
【主权项】：
1. 一种超低压保护器件的结构设计，及制造方法。在衬底1层，通过注入，扩散或外延形成预定的杂质浓度和厚度的异型掺杂层2，再通过隔离、有源区掺杂，阻挡层生成淀积金属，形成本发明结构。
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