[发明专利]一种半导体炉管的温度设置方法无效
| 申请号： | 200810006896.9 | 申请日： | 2008-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN101499404A | 公开（公告）日： | 2009-08-05 |
| 发明（设计）人： | 肖新民;李琳松 | 申请（专利权）人： | 和舰科技（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;F27B17/00;F27B5/04;F27D7/00;F27D21/00;F27D19/00 |
| 代理公司： | 北京连和连知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张春媛 |
| 地址： | 215025江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体炉管的温度设置方法，该炉管分为内管和外管，外管的外部具有加热装置，内管内部装设有用于装载晶片的晶舟和用于监控内管内部情况的监控器，内管的上、下端和外管的下端均设置有进气口和排气口；炉管沿轴向分为至少3个区域，利用加热装置使该至少3个区域的温度彼此相同或不同。本发明的有益效果在于，利用加热装置的按位置不同地加热，保证炉管内的热量分布均匀，能够使得晶片的膜厚更加均匀，有利于保证晶片的电性和性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 炉管 温度 设置 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体炉管的温度设置方法，该炉管分为内管和外管，外管的外部具有加热装置，内管内部装设有用于装载晶片的晶舟和用于监控内管内部情况的监控器，其特征在于，内管的上、下端和外管的下端均设置有进气口和排气口；炉管沿轴向分为至少3个区域，利用加热装置使该至少3个区域的温度彼此相同或不同。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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