[发明专利]固态成像装置无效
申请号: | 200810008531.X | 申请日: | 2008-01-23 |
公开(公告)号: | CN101236983A | 公开(公告)日: | 2008-08-06 |
发明(设计)人: | 成田博史 | 申请(专利权)人: | 恩益禧电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L27/148;H01L23/367;H01L23/02 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 关兆辉;陆锦华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种具有改善的热释放能力的固态成像装置,其能释放固态图像传感元件的放大单元产生的热。本发明的固态成像装置10包含细长的衬底(模制外壳18),金属层16,其暴露于模制外壳18的表面,并沿着模制外壳18细长的方向延伸,以及细长的固态图像传感元件20,其被安装在金属层16上,其中位于固态图像传感元件20放大单元正下方的区域中的金属层16的厚度大于金属层16的其它区域的厚度。 | ||
搜索关键词: | 固态 成像 装置 | ||
【主权项】:
1.一种固态成像装置,包含:细长的衬底;金属层,其暴露于所述衬底的表面,并在衬底细长的方向上延伸;以及细长的固态图像传感元件,其安装在所述金属层上,其中位于所述固态图像传感元件的放大单元正下方的所述金属层的区域的厚度大于所述金属层的其他区域的厚度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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