[发明专利]MOS晶体管的接触结构、毗连的接触结构及半导体SRAM单元

摘要

本发明涉及一种金属氧化物半导体晶体管的接触结构及半导体静态随机存取存储器单元，上述接触结构包括：第一接触件，形成于第一介电层内，且与MOS晶体管的源极/漏极区域接触；第二接触件，形成于第二介电层内，且与MOS晶体管的栅极区域或该第一接触件接触；以及第三接触件，至少部分形成于该第二介电层内，且与该第二介电层的顶表面实质上共平面，其中该第三接触件与该MOS晶体管的栅极区域接触。本发明能够降低深宽比和降低接触密度，并改善工艺窗口及提升元件合格率。

主权项

1.一种金属氧化物半导体晶体管的接触结构，包括：第一接触件，形成于半导体衬底上的第一介电层内，且与该第一介电层实质上共平面，其中该第一接触件与该MOS晶体管的源极/漏极区域接触；第二接触件，形成于该第一介电层上的第二介电层内，且与该第二介电层实质上共平面，其中该第二接触件与该第一接触件重叠；以及第三接触件，至少部分形成于该第二介电层内，且与该第二介电层的顶表面实质上共平面，其中该第三接触件与该MOS晶体管的栅极区域接触。