[发明专利]半导体集成电路无效

专利信息
申请号: 200810008888.8 申请日: 2008-01-30
公开(公告)号: CN101241909A 公开(公告)日: 2008-08-13
发明(设计)人: 农添三资 申请(专利权)人: 松下电器产业株式会社
主分类号: H01L27/02 分类号: H01L27/02;H01L23/528
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 代理人: 胡建新
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明目的在于提供一种半导体集成电路,该半导体集成电路包括分别被配置有单元高度不同的标准单元的多个单元块,并可以减小单元块之间的时钟偏移,该半导体集成电路包括第一标准单元和与该第一标准单元的单元高度不同的第二标准单元,在第一标准单元的P阱区中配置有一对N型扩散区域和用于向第一标准单元提供第一基板电源的P型扩散区域,在第二标准单元的P阱区中配置有一对N型的扩散区域和用于向第二标准单元提供第二基板电源的P型扩散区域,第一标准单元的N型扩散区域和P型扩散区域之间的距离与第二标准单元的N型扩散区域和P型扩散区域之间的距离实质上是相同的。
搜索关键词: 半导体 集成电路
【主权项】:
1.一种半导体集成电路,其特征在于,该半导体集成电路包括:第一标准单元,其中形成有第一导电类型的第一阱;以及第二标准单元,其中形成有第一导电类型的第二阱,且单元高度与所述第一标准单元的单元高度不同;所述第一阱中配置有:构成第一晶体管的第一扩散区域,和用于向所述第一标准单元提供第一基板电源的第二扩散区域;所述第二阱中配置有:构成第二晶体管的第三扩散区域,和用于向所述第二标准单元提供第二基板电源的第四扩散区域;所述第一扩散区域和所述第二扩散区域之间的距离,与所述第三扩散区域和所述第四扩散区域之间的距离实质上是相同的。
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