[发明专利]半导体器件无效
申请号: | 200810009410.7 | 申请日: | 2008-02-01 |
公开(公告)号: | CN101276811A | 公开(公告)日: | 2008-10-01 |
发明(设计)人: | 佐佐木敏夫;安义彦;仓石孝;森凉 | 申请(专利权)人: | 株式会社瑞萨科技 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L23/528;H01L23/485 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 | 代理人: | 王茂华;陈宇萱 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 提供一种半导体器件,使得有可能减小在半导体器件的芯区域中形成的电路进行操作的操作电压波动。这个半导体器件这样安排,以便将芯区域分成多个功能块,并且能针对各划分功能块供给电源,而且能中断这个电源。将在半导体芯片中形成的芯区域分成多个功能块。在划分功能块之间的边界中安排电源开关行,在该电源开关行中安排有多个电源开关。这些电源开关具有控制对各功能块供给参考电位和中断这个供给的功能。本发明的特征在于直接在电源开关行之上安排参考垫。这样使参考垫和电源开关耦合在一起的线缩短。 | ||
搜索关键词: | 半导体器件 | ||
【主权项】:
1.一种半导体器件,包括一个半导体芯片,该半导体芯片具有芯区域和在所述芯区域之外形成的输入/输出区域,该半导体芯片安排成在所述芯区域中形成至少一个操作部分和保持来自所述操作部分数据的存储器,并且在所述输入/输出区域中形成输入/输出电路,用以在形成于所述芯区域中的所述操作部分或所述存储器与外部源之间输入/输出数据,其中所述半导体芯片包括:(a)第一线,用以对所述操作部分和所述存储器供给电源电位;(b)第二线,用以对所述操作部分供给一个比所述电源电位低的电位;(c)第三线,用以对所述存储器供给一个比所述电源电位低的电位;(d)参考线,用以供给参考电位;(e)第一开关,用以使所述第二线和所述参考线相互电耦合或电解耦;(f)第二开关,用以使所述第三线和所述参考线相互电耦合或电解耦;(g)多个第一垫,与所述第一线电耦合;和(h)多个第二垫,与所述参考线电耦合,并且其中所述第一垫和所述第二垫在所述芯区域中形成,并且所述第一开关和所述第二开关也在所述芯区域中形成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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