[发明专利]衬底结构、低聚物探针阵列及其制造方法无效

专利信息
申请号: 200810009726.6 申请日: 2008-02-13
公开(公告)号: CN101294216A 公开(公告)日: 2008-10-29
发明(设计)人: 金京善;池圣敏;夏政焕;金媛善 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: C12Q1/68 分类号: C12Q1/68;G01N33/48;G01N33/68
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人: 黄启行;穆德骏
地址: 韩国京畿道水*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 公开了一种衬底结构、低聚物探针阵列及其制造方法。该衬底结构可以包括衬底和衬底上的包括由下面的结构式1表示的化学结构的中间膜。<结构式1>(其中R1是烷基、芳香基、烷氧基、腈、酯、苯基、羟基、脂肪族内脂、环烷基或环烯基,R2是烷基、芳香基、烷氧基、腈、酯、苯基、羟基、脂肪族内脂、环烷基或环烯基,和X直接或经由固定层而与衬底耦合)。
搜索关键词: 衬底 结构 物探 阵列 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种衬底结构,包括:衬底;和在所述衬底上、包括由下面的结构式1表示的化学结构的中间膜。<结构式1>(其中R1是烷基、芳香基、烷氧基、腈、酯、苯基、羟基、脂肪族内脂、环烷基或环烯基,R2是烷基、芳香基、烷氧基、腈、酯、苯基、羟基、脂肪族内脂、环烷基或环烯基,和X直接或经由固定层而与所述衬底耦合)。
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