[发明专利]一种半导体制造工艺中的掩模版图验证方法无效
| 申请号： | 200810035123.3 | 申请日： | 2008-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN101251712A | 公开（公告）日： | 2008-08-27 |
| 发明（设计）人： | 李杰 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/00 | 分类号： | G03F1/00;G03F7/20 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体制造工艺中的掩模版图验证方法，其包括利用第一掩模以及第二掩模对一晶圆进行曝光，获得一晶圆曝光图，对上述晶圆曝光图进行缺陷扫描，获得一晶圆缺陷扫描图，根据上述晶圆缺陷扫描图判断上述第一掩模以及上述第二掩模是否一致。通过这种掩模版图验证方法可以非常直观而且准确的看出新旧掩模的版图是否一致，不需要参考试片合格率数据，因此也就不需要等待试片周期，同时也节约了进行试片合格率实验的成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 制造 工艺 中的 模版 验证 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体制造工艺中的掩模版图验证方法，其特征在于包括：分别利用第一掩模以及第二掩模对一晶圆进行曝光，获得一晶圆曝光图；对上述晶圆曝光图进行缺陷扫描，获得一晶圆缺陷扫描图；根据上述晶圆缺陷扫描图判断上述第一掩模以及上述第二掩模是否一致。
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- 专利分类
G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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