[发明专利]一种p型半导体掺镍氧化铜靶材及其制备方法有效
| 申请号： | 200810036561.1 | 申请日： | 2008-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN101260507B | 公开（公告）日： | 2008-09-10 |
| 发明（设计）人： | 张群;施展;杨铭;王颖华 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/34 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 20043*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体氧化物材料领域，具体为一种p型半导体掺镍氧化铜(Cu 1-xNi xO)靶材及其制备方法。本发明将氧化铜粉末和氧化镍粉末均匀混合，采用粉末压片机干压成型，用氮气作为保护气体，在管式电阻炉中烧结成致密的块体靶材。所制备的靶材具有p型导电的特征。该发明制作工艺简单、经济，制成的靶材成分均匀，性能稳定。本发明方法获得的靶材在磁控溅射技术和脉冲等离子体沉积技术等制备光电性能优良的p型导电透明掺镍氧化铜薄膜领域具有应用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 氧化铜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种p型半导体掺镍氧化铜靶材，其特征在于：由氧化铜和氧化镍粉末按Cu1 xNixO，x＝0.01～0.15配比，经烧结而成，p型导电，其最高电导率达到3.9×10 3S·cm 1。
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