[发明专利]一种MOS器件的测试方法有效

专利信息
申请号: 200810036581.9 申请日: 2008-04-24
公开(公告)号: CN101566667B 公开(公告)日: 2009-10-28
发明(设计)人: 刘铁;鲜益民;柳入华;郭万瑾 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
主分类号: G01R31/26 分类号: G01R31/26;G01R1/073;G01R27/02;H01L21/66
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 屈蘅;李时云
地址: 20120*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供了一种MOS器件的测试方法,用于探针卡测试MOS器件的导通电阻,探针卡上具有若干用于接触MOS器件源端的探针,探针通过引线连接引出各自位于探针卡上若干接线点,将探针卡数个探针作为源端测试探针,将数个作为源端测试探针的接线点进行电性导通性连接;将探针卡数个探针作为源端加载探针,将数个作为源端加载探针的接线点进行电性导通性连接。本发明通过采用数个探针作为MOS器件的源端测试探针,通过将接线点进行电性导通性连接实现探针引线的汇接,可有效提高源端测试信号的准确性和抗干扰能力,提高导通电阻测试值的稳定性,解决传统测试方法因测试信号易受干扰导致导通电阻测试值波动大的问题。
搜索关键词: 一种 mos 器件 测试 方法
【主权项】:
一种MOS器件的测试方法,用于探针卡测试晶圆级MOS器件的导通电阻,所述探针卡上具有若干用于接触所述MOS器件源端的探针,所述探针通过引线连接引出各自位于所述探针卡上若干接线点,其特征在于,所述探针卡还包括单根与所述MOS器件栅极接触的栅极加载探针,将所述探针卡上数个探针作为源端测试探针,将所述数个作为源端测试探针的接线点进行电性导通性连接;将所述探针卡数个探针作为源端加载探针,将所述数个作为源端加载探针的接线点进行电性导通性连接。
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