[发明专利]非易失性存储器及其制造方法有效

申请号：	200810038357.3	申请日：	2008-05-30
公开（公告）号：	CN101593753A	公开（公告）日：	2009-12-02
发明（设计）人：	李秋德	申请（专利权）人：	和舰科技（苏州）有限公司
主分类号：	H01L27/112	分类号：	H01L27/112;H01L27/115;H01L23/522;H01L21/8246;H01L21/8247;H01L21/768
代理公司：	上海专利商标事务所有限公司	代理人：	陈亮
地址：	215025江苏省***	国省代码：	江苏;32
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摘要：	本发明公开了一种非易失性存储器，包括基底、多个掺杂区、第一栅极、导体层、第一接触窗插塞以及介电层。掺杂区配置于该基底中。第一栅极配置于相邻两掺杂区之间的基底上。导体层配置于第一栅极的上方。第一接触窗插塞配置于第一栅极与导体层之间。介电层配置于第一栅极与第一接触窗插塞之间。
搜索关键词：	非易失性存储器及其制造方法
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【主权项】：

1.一种非易失性存储器，包括：一基底；多个掺杂区，配置于该基底中；一第一栅极，配置于相邻两掺杂区之间的该基底上；一导体层，配置于该第一栅极的上方；一第一接触窗插塞，配置于该第一栅极与该导体层之间；以及一介电层，配置于该第一栅极与该第一接触窗插塞之间。

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