[发明专利]集成电路中互连结构的制作方法无效
| 申请号： | 200810041368.7 | 申请日： | 2008-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN101645412A | 公开（公告）日： | 2010-02-10 |
| 发明（设计）人： | 康芸;何伟业;杨瑞鹏;聂佳相 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人： | 屈 蘅;李时云 |
| 地址： | 2012*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提出一种集成电路中互连结构的制作方法，其包括下列步骤：在半导体基底上形成介电层，并在介电层上形成开口，在开口内壁形成阻挡层，在阻挡层上形成铜晶种层，然后在铜晶种层上电镀铜导电层并退火，接着至少执行一次在铜导电层上继续电镀铜导电层并退火的步骤，使各次电镀的铜导电层的厚度之和大于开口高度，最后化学机械研磨所述铜导电层至与开口持平。本发明提出的集成电路中互连结构的制作方法，在原先的化学电镀处理和退火处理后依次增加至少一次的化学电镀处理和退火处理，其能够有效地减少铜导电层表面存在的空腔以及缺陷，从而减少铜导电层表明的粗糙度，保证了产品的合格率。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 互连 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路中互连结构的制作方法，其特征在于包括下列步骤：a.在半导体基底上形成介电层，并在所述介电层上形成开口；b.在所述开口内壁形成阻挡层；c.在所述阻挡层上形成铜晶种层；d.在所述铜晶种层上电镀铜导电层并退火；e.至少执行一次在铜导电层上继续电镀铜导电层并退火的步骤，使各次电镀的铜导电层的厚度之和大于开口高度；f.化学机械研磨所述铜导电层至与开口持平。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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