[发明专利]静态随机存储器上拉晶体管阈值电压调整方法有效
| 申请号： | 200810041569.7 | 申请日： | 2008-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN101651121A | 公开（公告）日： | 2010-02-17 |
| 发明（设计）人： | 刘兵武 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8244 | 分类号： | H01L21/8244 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人： | 屈 蘅;李时云 |
| 地址： | 2012*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明揭露了一种静态随机存储器(SRAM)上拉晶体管阈值电压调整方法，利用与上拉晶体管共用栅极的下拉晶体管的离子注入来调整上拉晶体管的阈值电压，从而省略了专门针对SRAM上拉晶体管的阈值调整注入步骤，简化了工艺，降低了成本。该方法于下拉晶体管的栅极刻蚀前注入或栅极刻蚀后所进行的后续离子注入前，设定相应离子注入区的边缘与所述上拉晶体管有源区的距离，其中该边缘位于所述上拉晶体管有源区与下拉晶体管有源区之间；利用光掩膜为所述下拉晶体管定义具有上述边缘的离子注入区。 | ||
| 搜索关键词： | 静态 随机 存储器 晶体管 阈值 电压 调整 方法 | ||
【主权项】：
1.一种静态随机存储器上拉晶体管阈值电压调整方法，包括：(1)提供半导体衬底；(2)于半导体衬底中形成共用栅极的上拉晶体管与下拉晶体管的有源区；(3)于半导体衬底上形成栅极层；(4)对所述下拉晶体管进行栅极刻蚀前注入；(5)刻蚀上述栅极层，以形成所述上拉晶体管与下拉晶体管的共用栅极；(6)对所述下拉晶体管进行后续离子注入，其特征是，在进行步骤(4)或(6)中的离子注入前，包括：设定相应离子注入区的边缘与所述上拉晶体管有源区的距离，其中该边缘位于所述上拉晶体管有源区与下拉晶体管有源区之间；利用光掩膜为所述下拉晶体管定义具有上述边缘的离子注入区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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