[发明专利]NAND闪存及其制作方法有效
| 申请号： | 200810041826.7 | 申请日： | 2008-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN101656255A | 公开（公告）日： | 2010-02-24 |
| 发明（设计）人： | 杨海玩;蔡建祥 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;H01L23/522;H01L23/532;H01L21/8247;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李 丽 |
| 地址： | 201210*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种NAND闪存及其制作方法。所述NAND闪存包括栅极结构以及其上的字线结构，所述字线结构包括栅极结构上的多晶硅层、多晶硅层上的屏蔽层、屏蔽层上的导电层。所述NAND闪存的存储器单元间耦合电容较小，器件性能较高，而工艺成本也较低。 | ||
| 搜索关键词： | nand 闪存 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种NAND闪存，包括栅极结构以及其上的字线结构，其特征在于，所述字线结构包括栅极结构上的多晶硅层、多晶硅层上的用于阻挡离子的屏蔽层、屏蔽层上的导电层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
